氮化鋁 (AIN) 陶瓷是理想的高導熱基底，廣泛應用于高功率器件、電路和組件。 AIN 在器件中應用的關(guān)鍵技術(shù)是金屬化，目前存在膜層結合性差、致密性低等問(wèn)題。 本技術(shù)主要采用真空磁控濺射技術(shù)，通過(guò)控制多層金屬薄膜種類(lèi)、沉積溫度、時(shí)間和 基底偏壓來(lái)形成具有優(yōu)良性能的金屬化薄膜或圖案，獲得 AlN 陶瓷上金屬化多層薄膜AIN-Ti-Ti/Cu-Cu,AIN 上金屬化薄膜技術(shù)具有下列優(yōu)點(diǎn)：
1. AIN 上金屬化薄膜具有高粘附力高導電性；
2. 金屬化薄膜電學(xué)和熱學(xué)穩定性好，抗冷熱沖擊能力，抗裂紋擴展能力較好；
3. 金屬化薄膜具有微觀(guān)結構可調控，根據需求可沉積柱狀，層狀及多孔金屬化薄膜以滿(mǎn)足不同的需求；
4. 生產(chǎn)過(guò)程對環(huán)境無(wú)污染，金屬化薄膜形成速度快。
技術(shù)指標：
1. 沉積層厚度：200nm-10μm;
2. 沉積層硬度： 200-300HV;
3. 電阻率：<3μΩcmc
可作為高導電和高粘附力金屬材料用于微型電子器件中的薄膜電極使用?？勺鳛?陶瓷基底與其它材料之間的過(guò)渡緩沖層，利用高粘附及優(yōu)良的力學(xué)性能獲得具有長(cháng)周 期高可靠的多層薄膜?？捎糜诤罄m焊接工藝與金屬引線(xiàn)等?？蓪?shí)現金屬薄膜周期排布 以及微型圖案化，在1μm-30mm 陶瓷基底范圍內獲得各種表面功能的金屬化圖案薄膜(如圓柱陣列，矩形陣列，三角陣列)。
利用簡(jiǎn)單可控的濺射技術(shù)，實(shí)現了 AIN 陶瓷的薄膜金屬化， Ti-Cu/Ti 作為 Cu 與 AIN 的過(guò)渡層，降低了膜的電阻率，改善了結合力，增強了可靠性，與光刻技術(shù)配合，獲得了復雜的金屬薄膜周期排布與電路圖案，此技術(shù)具有廣闊的應用前景。
